采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB406EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.95W€10W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL6N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL6N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6N02L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB406EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.95W€10W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2310ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3420A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
