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    漏源电压: 20V
    类型: 2个N沟道
    阈值电压: 1.5V@250μA
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
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    杰盛微 Mosfet场效应管 8205A 起订200个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 8205A 起订200个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):8205A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.24nC@4.5V

    输入电容:522.3pF@8V

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:74.69pF@8V

    导通电阻:22mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订数1500个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订数1500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 8205A 起订38个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 8205A 起订38个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):8205A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.24nC@4.5V

    输入电容:522.3pF@8V

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:74.69pF@8V

    导通电阻:22mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Ruichips Mosfet场效应管 RU8205C6 起订59个装
    Ruichips Mosfet场效应管 RU8205C6 起订59个装

    品牌:Ruichips

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RU8205C6

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@250μA

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Ruichips Mosfet场效应管 RU8205C6 起订85个装
    Ruichips Mosfet场效应管 RU8205C6 起订85个装

    品牌:Ruichips

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RU8205C6

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@250μA

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:375mΩ@4.5V,630mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    连续漏极电流:2A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:125mΩ@4.5V,2.4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    连续漏极电流:2A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:125mΩ@4.5V,2.4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9926CDY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:33nC@10V

    输入电容:1.2nF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:18mΩ@4.5V,8.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    连续漏极电流:660mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922EEH-T1_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922EEH-T1_GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:840mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922EEH-T1_GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922EEH-T1_GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:840mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9926A 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6317NZ 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    输入电容:66.5pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ@4.5V,750mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    连续漏极电流:2A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:125mΩ@4.5V,2.4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    连续漏极电流:2A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:125mΩ@4.5V,2.4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922EEH-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922EEH-T1_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:840mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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