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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2162-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：18.9nC@4.5V
输入电容：1.371nF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个N沟道
反向传输电容：172pF@10V
导通电阻：14mΩ@4.5V，4.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.2A
功率：1W
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.2A
功率：1W
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.2A
功率：1W
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
