品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP162A12A6PR
功率:2W
阈值电压:1.2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02FRATL
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP162A12A6PR
功率:2W
阈值电压:1.2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02FRATL
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP162A12A6PR
功率:2W
阈值电压:1.2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP162A12A6PR
功率:2W
阈值电压:1.2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP162A12A6PR
功率:2W
阈值电压:1.2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02FRATL
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02FRATL
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02FRATL
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W€490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W€490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02FRATL
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:500mW
输入电容:335pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:3.5nC@4.5V
导通电阻:90mΩ@4.5V,1.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:900mV@250μA
输入电容:550pF@10V
导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
功率:5W€490mW
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:900mV@250μA
输入电容:550pF@10V
导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
功率:5W€490mW
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: