品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G220P02D2
阈值电压:1.2V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道
导通电阻:15mΩ@10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR4953D-A
功率:2W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道
导通电阻:130mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD4152PT1G
功率:272mW
阈值电压:1.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:880mA
类型:2个P沟道
导通电阻:260mΩ@4.5V,880mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS4953DMF-B
功率:1.25W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道
导通电阻:120mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS4953DMF-B
功率:1.25W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道
导通电阻:120mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD4152PT1G
功率:272mW
阈值电压:1.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:880mA
类型:2个P沟道
导通电阻:260mΩ@4.5V,880mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR4953D-A
功率:2W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道
导通电阻:130mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR4953D-A
功率:2W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道
导通电阻:130mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR4953D-A
功率:2W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道
导通电阻:130mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD4152PT1G
功率:272mW
阈值电压:1.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:880mA
类型:2个P沟道
导通电阻:260mΩ@4.5V,880mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6J1T2R
功率:150mW
阈值电压:1V@100μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2200UDW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:2个P沟道
导通电阻:260mΩ@4.5V,880mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.6A
类型:2个P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS4953DMF-B
功率:1.25W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道
导通电阻:120mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.6A
类型:2个P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS4953DMF-B
功率:1.25W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道
导通电阻:120mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD4152PT1G
功率:272mW
阈值电压:1.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:880mA
类型:2个P沟道
导通电阻:260mΩ@4.5V,880mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD4152PT1G
功率:272mW
阈值电压:1.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:880mA
类型:2个P沟道
导通电阻:260mΩ@4.5V,880mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD223PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@1.5μA
栅极电荷:620pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@15V
连续漏极电流:390mA
类型:2个P沟道
导通电阻:1.2Ω@390mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9933A
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:75mΩ@3.8A,4.5V
功率:900mW
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: