品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
功率:301mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.37A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:329mW
输入电容:840pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4151PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
功率:1.2W
输入电容:850pF@10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
功率:301mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
输入电容:3640pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:70nC@4.5V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.37A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:329mW
ECCN:EAR99
输入电容:840pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR0202PLT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:800mΩ@200mA,10V
输入电容:70pF@5V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:2.18nC@10V
功率:225mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":1192,"13+":3000,"14+":10166,"17+":370,"9999":1188}
规格型号(MPN):MCH6337-TL-E
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
导通电阻:49mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.3V@1mA
类型:P沟道
输入电容:670pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
输入电容:2100pF@16V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
功率:1.3W
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
栅极电荷:35nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:110mΩ@3A,4.5V
功率:510mW
连续漏极电流:1.8A
输入电容:345pF@15V
类型:P沟道
漏源电压:20V
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
输入电容:1490pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:22nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":7323,"08+":1037,"20+":24000,"22+":448000}
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:860mA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:458pF@16V
漏源电压:20V
功率:170mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:420mW
ECCN:EAR99
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:950pF@10V
栅极电荷:12.3nC@4.5V
导通电阻:62mΩ@4A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":2990}
规格型号(MPN):MCH6321-TL-W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:150℃
功率:1.5W
栅极电荷:4.6nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
导通电阻:83mΩ@2A,4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:375pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTRV4101PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:420mW
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS7D2P02P8ZTAG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:7.9A
功率:860mW
栅极电荷:26.7nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:2790pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6337-TL-E
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
导通电阻:49mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.3V@1mA
类型:P沟道
输入电容:670pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
输入电容:882pF@10V
栅极电荷:14nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC608PZ
栅极电荷:23nC@4.5V
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1330pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
功率:8.3W
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:1200pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR1P02T1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
栅极电荷:2.5nC@5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:165pF@5V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":19373}
规格型号(MPN):SCH1330-TL-W
输入电容:120pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
阈值电压:1.4V@1mA
栅极电荷:1.7nC@4.5V
连续漏极电流:1.5A
导通电阻:241mΩ@750mA,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: