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    品牌: ON SEMI
    漏源电压: 20V
    类型: P沟道
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:1200+
    商品信息
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    功率:301mW

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.37A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:329mW

    输入电容:840pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4151PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    功率:1.2W

    输入电容:850pF@10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订45000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订45000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    功率:301mW

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    输入电容:3640pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:70nC@4.5V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.37A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:329mW

    ECCN:EAR99

    输入电容:840pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN342P

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:80mΩ@2A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    输入电容:635pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR0202PLT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:800mΩ@200mA,10V

    输入电容:70pF@5V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    栅极电荷:2.18nC@10V

    功率:225mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:1000pF@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6337-TL-E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6337-TL-E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"12+":1192,"13+":3000,"14+":10166,"17+":370,"9999":1188}

    规格型号(MPN):MCH6337-TL-E

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    导通电阻:49mΩ@3A,4.5V

    阈值电压:1.3V@1mA

    类型:P沟道

    输入电容:670pF@10V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4101PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4101PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4101PT1G

    输入电容:2100pF@16V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:4.8A

    功率:1.3W

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V

    栅极电荷:35nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:110mΩ@3A,4.5V

    功率:510mW

    连续漏极电流:1.8A

    输入电容:345pF@15V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    输入电容:1490pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订4046个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订4046个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"07+":7323,"08+":1037,"20+":24000,"22+":448000}

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    连续漏极电流:860mA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:458pF@16V

    漏源电压:20V

    功率:170mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:420mW

    ECCN:EAR99

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    功率:600mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    输入电容:950pF@10V

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:1000pF@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6321-TL-W 起订2914个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6321-TL-W 起订2914个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"16+":2990}

    规格型号(MPN):MCH6321-TL-W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    导通电阻:83mΩ@2A,4.5V

    ECCN:EAR99

    输入电容:375pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTRV4101PT1G 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTRV4101PT1G 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTRV4101PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:420mW

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS7D2P02P8ZTAG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:9mΩ@10A,4.5V

    连续漏极电流:7.9A

    功率:860mW

    栅极电荷:26.7nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2790pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6337-TL-E 起订1776个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6337-TL-E 起订1776个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6337-TL-E

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    导通电阻:49mΩ@3A,4.5V

    阈值电压:1.3V@1mA

    类型:P沟道

    输入电容:670pF@10V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订21个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订21个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN302P

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    输入电容:882pF@10V

    栅极电荷:14nC@4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC608PZ 起订75个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC608PZ 起订75个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC608PZ

    栅极电荷:23nC@4.5V

    连续漏极电流:5.8A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1330pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF6P02T3G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:20nC@4.5V

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    功率:8.3W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1200pF@16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR1P02T1G

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    栅极电荷:2.5nC@5V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:1A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:165pF@5V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTWG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTWG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTWG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:28nC@4.5V

    输入电容:2240pF@15V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1330-TL-W 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1330-TL-W 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"15+":19373}

    规格型号(MPN):SCH1330-TL-W

    输入电容:120pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    阈值电压:1.4V@1mA

    栅极电荷:1.7nC@4.5V

    连续漏极电流:1.5A

    导通电阻:241mΩ@750mA,4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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