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    漏源电压: 20V
    类型: P沟道
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    价格
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XPA2R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:679pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2694pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":235,"23+":1361}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:213
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6575
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6575

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6575

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4951pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28XPEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28XPEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28XPEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2694pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订18个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订18个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":235,"23+":1361}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2694pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:625
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2694pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB100XPEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB100XPEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB100XPEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:550mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:388pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:122mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D38-20PX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D38-20PX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK4D38-20PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@10V

    连续漏极电流:6A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@6A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB100XPEAX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB100XPEAX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB100XPEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:550mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:388pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:122mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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