采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
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功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：151765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
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类型：P沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25201W15
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连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2A，4.5V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：170mW
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类型：P沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25201W15
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1086}
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规格型号(MPN)：CSD25201W15
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
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连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
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栅极电荷：5.6nC@4.5V
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输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
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类型：P沟道
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25201W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
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输入电容：510pF@10V
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类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：7323，"08+"：1037，"20+"：24000，"22+"：448000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
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类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
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类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
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类型：P沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
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类型：P沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：151765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1H
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功率：170mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"07+"：7323，"08+"：1037，"20+"：24000，"22+"：448000}
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
连续漏极电流：860mA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
输入电容：458pF@16V
漏源电压：20V
功率：170mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
连续漏极电流：860mA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
输入电容：458pF@16V
漏源电压：20V
功率：170mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
