品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:487pF@20V
栅极电荷:6.3nC@4.5V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
输入电容:608pF@6V
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF010P02TL
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:150℃
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
阈值电压:2V@1mA
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
输入电容:150pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF015P02TL
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:150℃
输入电容:560pF@10V
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:5.2nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2037U-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
栅极电荷:14.5nC@8V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:803pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:P沟道
漏源电压:20V
导通电阻:28mΩ@2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100UQ-7
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:216pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
输入电容:608pF@6V
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:487pF@20V
栅极电荷:6.3nC@4.5V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J36TU,LF
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
输入电容:43pF@10V
工作温度:150℃
导通电阻:1.31Ω@100mA,4.5V
栅极电荷:1.2nC@4V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:330mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100U-7
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
输入电容:216pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF010P02TL
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:150℃
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
阈值电压:2V@1mA
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
输入电容:150pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100U-7
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
输入电容:216pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045U-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J36TU,LF
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
输入电容:43pF@10V
工作温度:150℃
导通电阻:1.31Ω@100mA,4.5V
栅极电荷:1.2nC@4V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:330mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF015P02TL
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:150℃
输入电容:560pF@10V
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:5.2nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
输入电容:608pF@6V
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100UQ-7
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
输入电容:216pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF015P02TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTF010P02TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: