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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
连续漏极电流：7.9A
功率：860mW
栅极电荷：26.7nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：2790pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS7D2P02P8ZTAG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：9mΩ@10A，4.5V
连续漏极电流：7.9A
功率：860mW
栅极电荷：26.7nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：2790pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMK50XP，518
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@20V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMK50XP，518
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@20V
连续漏极电流：7.9A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
