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    漏源电压: 20V
    类型: P沟道
    功率: 1.1W
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订49个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订49个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G 起订627个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G 起订627个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":685,"07+":255925,"08+":3250,"09+":47000,"10+":2212,"15+":79412,"16+":2400,"MI+":87000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3101FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P02XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P02XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订497个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订497个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订497个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订497个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":606,"22+":21000,"23+":57000,"24+":358}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P02XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P02XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P02XTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P02XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订50个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订50个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM62P02E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订13个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN340P 起订13个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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