采购热线 400-661-9010
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3174NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.5pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VT6K1T2CR
工作温度：150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3174NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.5pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3174NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.5pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VT6K1T2CR
工作温度：150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VT6K1T2CR
工作温度：150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：6780}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3174NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.5pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3174NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.5pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3174NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.5pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3174NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.5pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3174NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.5pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VT6K1T2CR
工作温度：150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VT6K1T2CR
工作温度：150℃
功率：120mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.1pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3174NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.5pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3174NZT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.5pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
