采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-13
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功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
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输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
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连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
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输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
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工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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