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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1422，"13+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO330N02KGFUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.2V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：713pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：713pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：713pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2041UFDB-7
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功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：713pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1422，"13+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO330N02KGFUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.2V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：713pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8808A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@10V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：713pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8808A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@10V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
