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    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6420C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2450UV-7 起订61个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2450UV-7 起订61个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2450UV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.1pF@10V

    连续漏极电流:1.03A€700mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:480mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCPB5530X,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:34mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3100CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@10V

    连续漏极电流:2.9A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:12A€9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2400UV-13 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2400UV-13 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2400UV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.1pF@10V

    连续漏极电流:1.03A€700mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:480mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVT-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVT-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2038LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@10V

    连续漏极电流:3.7A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD3119CTBG 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@10V

    连续漏极电流:2.6A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2700UDM-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2700UDM-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2700UDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.12W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1.34A€1.14A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:7.8A€6.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V€43pF@10V

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD235CH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD235CH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSD235CH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@1.6µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:47pF@10V

    连续漏极电流:950mA€530mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:350mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVT-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVT-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2038LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@10V

    连续漏极电流:3.7A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7317TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7317TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7317TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:700mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:6.6A€5.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:29mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3100CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@10V

    连续漏极电流:2.9A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:7.8A€6.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1034CZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5515CDC-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:36mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:7.8A€6.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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