品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
输入电容:882pF@10V
栅极电荷:14nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
输入电容:882pF@10V
栅极电荷:14nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN308P
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:125mΩ@1.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:341pF@10V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
阈值电压:1.5V@250μA
输入电容:330pF@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
栅极电荷:5nC@4.5V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
阈值电压:1.5V@250μA
输入电容:330pF@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
栅极电荷:5nC@4.5V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":26611,"23+":22998,"MI+":9644}
规格型号(MPN):FDZ1323NZ
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
导通电阻:13mΩ@1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
输入电容:2055pF@10V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
阈值电压:1.5V@250μA
输入电容:330pF@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
栅极电荷:5nC@4.5V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:480pF@5V
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
连续漏极电流:1.65A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ1323NZ
阈值电压:1.2V@250µA
功率:500mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
导通电阻:13mΩ@1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2055pF@10V
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
栅极电荷:6.3nC@4.5V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":2741}
规格型号(MPN):NTGS3443T1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3446T1G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:45mΩ@5.1A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
漏源电压:20V
栅极电荷:15nC@4.5V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:480pF@5V
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
连续漏极电流:1.65A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:451pF@10V
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:20V
导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A
类型:1个P沟道
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
栅极电荷:5nC@4.5V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN339AN
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
输入电容:700pF@10V
功率:500mW
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
栅极电荷:6.3nC@4.5V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN339AN
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
输入电容:700pF@10V
功率:500mW
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: