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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS205NH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD816SNH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD816SNH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":6000,"15+":1695}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSD816SNH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@3.7µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8334
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD15380F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.35V@2.5µA

    栅极电荷:0.281nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.5pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1190mΩ@100mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:28
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS806NEH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS806NEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6083
    TOREX Mosfet场效应管 XP151A13A0MR-G
    TOREX Mosfet场效应管 XP151A13A0MR-G

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP151A13A0MR-G

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订36个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订36个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2250UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@16V

    连续漏极电流:1.35A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:46
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075UDW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075UDW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2075UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS816NWH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS816NWH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS816NWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@3.7µA

    栅极电荷:0.6nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5
    TOREX Mosfet场效应管 XP151A13A0MR-G
    TOREX Mosfet场效应管 XP151A13A0MR-G

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP151A13A0MR-G

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NWH6327XTSA1 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS214NWH6327XTSA1 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS214NWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@3.7µA

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802NL6327HTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR802NL6327HTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR802NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:750mV@30µA

    栅极电荷:4.7nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1447pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@3.7A,2.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7R
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7R

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:58
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