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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：28090}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J144TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K211FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K211FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K211FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J144TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J134TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J144TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J134TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J134TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J134TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J144TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J144TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J134TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
