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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：92pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：92pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：92pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE2302-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2300-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：海德
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HD2301
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJ3420-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP2302B-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2300-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP2300-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302DS-T1-GE3-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：450mA
类型：2个N沟道
导通电阻：990mΩ@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM3737 TR PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2个N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM2301S
栅极电荷：5.4nC@4.5V
功率：350mW
导通电阻：90mΩ@4.5V，2.8A
阈值电压：1V@250μA
反向传输电容：55pF@10V
漏源电压：20V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001
功率：350mW
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.6nC@4.5V
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
输入电容：92pF@10V
类型：2个N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJ2302-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE2302-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
