品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G29
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12.5nC@10V
输入电容:1.151nF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:872pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:482pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUR040N02FRATL
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J412TU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.7mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8K1TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:72mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1343-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":12886}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1332-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J328R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25213W10
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":17077,"17+":740000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1345-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:49mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):US6K4TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:180mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF6C055BCTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:15.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:25.8mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: