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    漏源电压: 20V
    功率: 2.5W
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: P沟道
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2320pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2320pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2320pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2320pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2320pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2320pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2320pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2320pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2320pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2320pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2320pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7425TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7425TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7425TRPBF

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:130nC@4.5V

    类型:P-Channel

    导通电阻:8.2mΩ@15A,4.5V

    功率:2.5W

    连续漏极电流:15A

    漏源电压:20V

    输入电容:7980pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7425TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7425TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7425TRPBF

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:130nC@4.5V

    类型:P沟道

    导通电阻:8.2mΩ@15A,4.5V

    功率:2.5W

    连续漏极电流:15A

    漏源电压:20V

    输入电容:7980pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订7500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订7500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2038USS-13

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    输入电容:1496pF@15V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:20nC@4.5V

    输入电容:835pF@10V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    栅极电荷:36nC@4.5V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2694pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    栅极电荷:36nC@4.5V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2694pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9431A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    输入电容:405pF@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:3.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTS21115C 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTS21115C 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTS21115C

    连续漏极电流:6.6A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17nC@4.5V

    导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    阈值电压:950mV@250µA

    输入电容:930pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    栅极电荷:27nC@4.5V

    输入电容:2320pF@15V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7404TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7404TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7404TRPBF

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:6.7A

    导通电阻:40mΩ@3.2A,4.5V

    阈值电压:700mV@250µA

    输入电容:1500pF@15V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160P02CS RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160P02CS RLG

    导通电阻:16mΩ@6A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    栅极电荷:27nC@4.5V

    输入电容:2320pF@15V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订213个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订213个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":235,"23+":1361}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:13.5A

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@4.5V

    输入电容:8237pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS8434 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS8434 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":0,"MI+":1735}

    规格型号(MPN):NDS8434

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:80nC@4.5V

    导通电阻:35mΩ@6.5A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:56.9nC@10V

    类型:P-Channel

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2444pF@10V

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    栅极电荷:36nC@4.5V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2694pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7404TRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7404TRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7404TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:40mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    AOS Mosfet场效应管 AOTS21115C 起订32个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTS21115C 起订32个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTS21115C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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