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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3814L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3814L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3814L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：835pF@10V
类型：P沟道
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
