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品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN2367T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：2个N沟道
反向传输电容：100pF@10V
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN2367T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：2个N沟道
反向传输电容：100pF@10V
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN2367T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：2个N沟道
反向传输电容：100pF@10V
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS8205M
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3415E
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3415E
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3415E
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3415E
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3415E
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM3415E
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：4.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS8205M
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS8205M
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
输入电容：476pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS8205M
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN2367T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：2个N沟道
反向传输电容：100pF@10V
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS8205M
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
