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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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包装方式：卷带（TR）
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类型：P沟道
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漏源电压：20V
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功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@10V，13.7A
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@10V，13.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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