采购热线 400-661-9010
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6321-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：610591，"15+"：3000，"18+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6337-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：49mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1192，"13+"：3000，"14+"：10166，"17+"：370，"9999"：1188}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6337-TL-E
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：49mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2120LFWB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4421DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：800mV@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：8.75mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
