品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度:-65℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.57nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度:-65℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.57nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度:-65℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.57nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度:-65℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.57nC@4.5V
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输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度:-65℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.57nC@4.5V
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输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度:-65℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.57nC@4.5V
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输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMUDM7001 TR PBFREE
导通电阻:3Ω@10mA,4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9pF@3V
栅极电荷:0.57nC@4.5V
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
工作温度:-65℃~150℃
功率:250mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度:-65℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.57nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度:-65℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.57nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度:-65℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.57nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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