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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56MFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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类型：N沟道
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功率：150mW
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栅极电荷：1nC@4.5V
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输入电容：55pF@10V
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类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K56MFV，L3F
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功率：150mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
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输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
导通电阻：235mΩ@4.5V，800mA
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56MFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1nC@4.5V
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
导通电阻：235mΩ@4.5V，800mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56FS，LF
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：1nC@4.5V
输入电容：55pF@10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：800mA
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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