销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":6007}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4402UPEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301PVL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301PVL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301PVL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301A
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C014BCT2CL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301PVL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301PVL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4402UPEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX2301PVL
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: