采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：400mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：2.5nC@5V
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：180mΩ@10V，1.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：400mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：400mW
阈值电压：1V@100μA
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：400mW
栅极电荷：6.2nC@4.5V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：400mW
栅极电荷：6.2nC@4.5V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
