品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
阈值电压:2V@34µA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:9.3nC@4.5V
输入电容:840pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
输入电容:375pF@6V
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C020TPTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:2A
阈值电压:2V@1mA
类型:P沟道
栅极电荷:4.9nC@2.5V
漏源电压:20V
输入电容:430pF@10V
功率:700mW
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
输入电容:857pF@10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:630pF@10V
阈值电压:2V@1mA
导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V
类型:P沟道
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:630pF@10V
阈值电压:2V@1mA
导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V
类型:P沟道
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
阈值电压:2V@34µA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:9.3nC@4.5V
输入电容:840pF@10V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
阈值电压:2V@34µA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:9.3nC@4.5V
输入电容:840pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
输入电容:375pF@6V
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
阈值电压:950mV@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":354,"22+":14000}
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
输入电容:857pF@10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:700mW
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
输入电容:857pF@10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:4.9nC@4.5V
连续漏极电流:2A
阈值电压:2V@1mA
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
功率:700mW
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
输入电容:375pF@6V
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C025TPTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:630pF@10V
阈值电压:2V@1mA
导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V
类型:P沟道
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C025TPTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:630pF@10V
阈值电压:2V@1mA
导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V
类型:P沟道
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:630pF@10V
阈值电压:2V@1mA
导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V
类型:P沟道
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C030TPTL
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
工作温度:150℃
漏源电压:20V
栅极电荷:9.3nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
阈值电压:2V@34µA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:9.3nC@4.5V
输入电容:840pF@10V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:630pF@10V
阈值电压:2V@1mA
导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V
类型:P沟道
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3113PT1G
栅极电荷:15.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1329pF@16V
漏源电压:20V
连续漏极电流:3.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
输入电容:857pF@10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: