采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：180000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2210T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：29mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：180000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2210T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：29mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：180000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2210T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：29mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2210T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16.3nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：29mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6402
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6402
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6402
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6402
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6402
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BML6402
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
