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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3476(TE12L，Q
功率：20W
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3476(TE12L，Q
功率：20W
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
