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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2305
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2305
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2305
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：3.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
连续漏极电流：3.8A
输入电容：642pF@10V
栅极电荷：8.8nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
功率：1.2W
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：23.1nC@4.5V
输入电容：2.4nF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：3.2A
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
功率：1.2W
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
类型：1个P沟道
输入电容：850pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
