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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD214SNH6327XTSA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143 pF @ 10 V
连续漏极电流：1.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：7.7 nC @ 10 V
输入电容：281 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：42 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3446T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 10 V
连续漏极电流：2.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：45 毫欧 @ 5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
