品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6420C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
连续漏极电流:3A€2.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA910PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2805pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG311N
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@4.5V
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€420mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:62pF@10V
连续漏极电流:1A€1.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:114pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA938DJT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€7.8W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:4.5A€4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.5mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ193P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1025P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:450pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@10V
连续漏极电流:4A€5.3A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2029USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:97nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8130pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA507PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:42nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6310P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:337pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:125mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG312P
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
连续漏极电流:860mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W€1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3.9A€2.1A
类型:N和P沟道
导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: