采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL207NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8817DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2102-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8817DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2102-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV65UPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8817DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL207NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2102-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：90000，"08+"：5300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8817DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8817DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8817DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8810EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2102-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8817DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8810EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8817DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
