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    漏源电压: 20V
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    阈值电压: 3V@250µA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943BDY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943BDY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9500pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA430DJT-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA430DJT-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3711TRPBF 起订733个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3711TRPBF 起订733个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3711TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€120W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA430DJT-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA430DJT-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9500pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3711TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3711TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3711TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€120W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9500pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8554 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8554 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8554

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@10V

    连续漏极电流:16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9500pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943BDY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943BDY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7104TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7104TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8554 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8554 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8554

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@10V

    连续漏极电流:16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIE822DF-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIE822DF-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9500pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIE822DF-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIE822DF-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9500pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS6911 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6911 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6911

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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