采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2651，"21+"：5153，"22+"：10261}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6317NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON1606
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：275mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6317NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6317NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6317NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6317NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON1606
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：275mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6317NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
