首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    漏源电压
    20V
    工作温度
    类型
    行业应用
    栅极电荷
    4.2nC@4.5V 3.4nC@4.5V 6.7nC@4.5V 47nC@8V 3.8nC@4.5V 2.8nC@4.5V 90nC@10V 3nC@4.5V 12nC@10V 13nC@4.5V 95nC@10V 9.6nC@4.5V 8.3nC@4.5V 30nC@4.5V 6.5nC@4.5V 8.8nC@4.5V 7.7nC@10V 8.7nC@10V 15.6nC@10V 3.2nC@4.5V 14nC@4.5V 21nC@4.5V 11.6nC@4.5V 5.5nC@4.5V 15nC@4.5V 34nC@10V 22nC@5V 6nC@10V 23nC@10V 1.82nC@4.5V 10nC@4.5V 12.3nC@10V 4.8nC@4.5V 142nC@10V 11.2nC@4.5V 18nC@10V 150nC@10V 62nC@10V 12nC@4.5V 32nC@4.5V 17nC@4.5V 3.9nC@4.5V 4.5nC@4.5V 4nC@4.5V 7.8nC@4.5V 34nC@4.5V 10.4nC@4.5V 1.1nC@4.5V 1nC@4.5V 32nC@5V 6nC@4.5V 6.2nC@4.5V 8.6nC@4.5V 41nC@10V 53nC@10V 18nC@8V 6.3nC@4.5V 6.7nC@10V 66nC@5V 14.5nC@4.5V 17nC@10V 56nC@10V 5nC@4.5V 20nC@10V 18nC@4.5V 2nC@8V 3.6nC@4.5V 48nC@4.5V 32nC@10V 11nC@4.5V 45nC@4.5V 60nC@10V 20.2nC@4.5V 27nC@4.5V 2.1nC@4.5V 6.6nC@4.5V 44nC@4.5V 8.2nC@4.5V 7.5nC@4.5V 86nC@10V 2.7nC@8V 4.8nC@10V 1.7nC@2.5V 300nC@10V 2nC@4.5V 7nC@4.5V 1.4nC@4.5V 133nC@10V 12.5nC@10V 2nC@10V 4.6nC@4.5V 78nC@10V 1.6nC@4.5V 3.5nC@4.5V 35nC@10V 8.5nC@4.5V 9nC@4.5V 12nC@5V 2.8nC@10V 1.5nC@4.5V 8nC@8V 43nC@10V 2.3nC@4.5V 8.9nC@4.5V 5.4nC@4.5V 16nC@4.5V 164nC@10V 110nC@10V 18nC@5V 230nC@4.5V 500nC@4.5V 2.3nC@10V 7.1nC@4.5V 4.3nC@4.5V 62nC@5V 1.3nC@10V 3.5nC@4V 5.85nC@4.5V 99nC@10V 3.1nC@10V 3.3nC@4.5V 1.8nC@4.5V 1.65nC@4.5V 4.7nC@2.5V 16nC@8V 21.5nC@4.5V 22nC@4.5V 8.3nC@8V 45nC@8V 12.3nC@4.5V 310nC@10V 42.3nC@10V 17.9nC@4.5V 17.5nC@4.5V 0.8nC@5V 0.9nC@10V 13.1nC@10V 48.5nC@4.5V 45.6nC@10V 0.75nC@4.5V 0.8nC@4.5V 0.9nC@4.5V 58.3nC@10V 17.8nC@4.5V 0.89nC@4.5V 0.88nC@4.5V 0.93nC@10V 25.8nC@8V 0.7nC@4.5V 78nC@4.5V 0.74nC@4.5V 0.41nC@4.5V 0.6nC@2.5V 0.5nC@4.5V 24nC@8V 0.31nC@4.5V 0.95nC@4.5V 17nC@8V 97nC@4.5V 20.3nC@4.5V 1.2nC@8V 10.6nC@4.5V 0.85nC@4.5V 750nC@4.5V 20nC@8V 52.7nC@4.5V 0.281nC@10V
    漏源电压: 20V
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:6800+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NVA4001NT1G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVA4001NT1G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVA4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:238mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDF-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDF-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:42.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1439pF@10V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N 起订1466个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N 起订1466个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG311N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1540pF@16V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:50.2A€177A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2041L-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2041L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订32个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订32个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL6N2VH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@16V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202N L6327 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202N L6327 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR202N L6327

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@30µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:Reel

    输入电容:1147pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:238mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订87个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012T-7 起订87个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLHS6242TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLHS6242TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.98W€9.6W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@10V

    连续漏极电流:10A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:760mA

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧