品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV160UP,215
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4nC@4.5V
连续漏极电流:1.2A
输入电容:365pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
功率:335mW€2.17W
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
输入电容:375pF@6V
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV160UP,215
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4nC@4.5V
连续漏极电流:1.2A
输入电容:365pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
功率:335mW€2.17W
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2R
导通电阻:170mΩ@2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
功率:480mW
漏源电压:20V
输入电容:418pF@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV32UP,215
输入电容:1890pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:36mΩ@2.4A,4.5V
栅极电荷:15.5nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV33UPE,215
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:22.1nC@4.5V
导通电阻:36mΩ@3A,4.5V
功率:490mW
输入电容:1820pF@10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2R
导通电阻:170mΩ@2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
功率:480mW
漏源电压:20V
输入电容:418pF@10V
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
输入电容:375pF@6V
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
阈值电压:950mV@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV33UPE,215
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:22.1nC@4.5V
导通电阻:36mΩ@3A,4.5V
功率:490mW
输入电容:1820pF@10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV32UP,215
输入电容:1890pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:36mΩ@2.4A,4.5V
栅极电荷:15.5nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
功率:370mW€2.2W
输入电容:36pF@10V
栅极电荷:0.5nC@4V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
输入电容:375pF@6V
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ350UPEYL
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:360mW€3.125W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
输入电容:127pF@10V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS21115C
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
栅极电荷:17nC@4.5V
功率:1.3W
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:4.5A
输入电容:930pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPER
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:22.1nC@4.5V
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
输入电容:1820pF@10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:490mW€4.15W
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB350UPE,315
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:360mW€3.125W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
输入电容:127pF@10V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ350UPEYL
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:360mW€3.125W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
输入电容:127pF@10V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
功率:370mW€2.2W
输入电容:36pF@10V
栅极电荷:0.5nC@4V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
连续漏极电流:6.6A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@4.5V
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
类型:P沟道
功率:2.5W
漏源电压:20V
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:930pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPEAR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:22.1nC@4.5V
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
输入电容:1820pF@10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:490mW€4.15W
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
功率:370mW€2.2W
输入电容:36pF@10V
栅极电荷:0.5nC@4V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
功率:370mW€2.2W
输入电容:36pF@10V
栅极电荷:0.5nC@4V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPELYL
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
功率:360mW€2.7W
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPEAR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:22.1nC@4.5V
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
输入电容:1820pF@10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:490mW€4.15W
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2R
导通电阻:170mΩ@2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
功率:480mW
漏源电压:20V
输入电容:418pF@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2R
导通电阻:170mΩ@2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
功率:480mW
漏源电压:20V
输入电容:418pF@10V
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV33UPE,215
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:22.1nC@4.5V
导通电阻:36mΩ@3A,4.5V
功率:490mW
输入电容:1820pF@10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPELYL
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
功率:360mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
阈值电压:950mV@250µA
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
功率:370mW€2.2W
输入电容:36pF@10V
栅极电荷:0.5nC@4V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV160UP,215
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4nC@4.5V
连续漏极电流:1.2A
输入电容:365pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
功率:335mW€2.17W
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: