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    漏源电压: 20V
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    类型: P沟道
    阈值电压: 1.4V@250µA
    当前匹配商品:200+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@10V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

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    类型:P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

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    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

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    功率:2W

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订10个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

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    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

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    栅极电荷:9nC@4.5V

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

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    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

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    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    输入电容:640pF@10V

    连续漏极电流:4.7A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:38nC@10V

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    功率:5.7W

    类型:P沟道

    输入电容:1000pF@10V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-BE3

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    连续漏极电流:3.6A

    漏源电压:20V

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:3.6A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UQ-7

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.4V@250µA

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:216pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.25mΩ

    阈值电压:1.4V@250µA

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    栅极电荷:625nC@10V

    类型:P-Channel

    ECCN:EAR99

    输入电容:22000pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3419 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3419 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3419

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.4V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6415 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6415 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6415

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    导通电阻:75mΩ@3.3A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.4V@250µA

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    输入电容:620pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3443CX6 RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    输入电容:640pF@10V

    连续漏极电流:4.7A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463CDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463CDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.4V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:13.6A€49A

    漏源电压:20V

    功率:2.7W€5W

    输入电容:4250pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:585nC@10V

    阈值电压:1.4V@250µA

    功率:6.25W€104W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:1.95mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463CDY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463CDY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.4V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:13.6A€49A

    漏源电压:20V

    功率:2.7W€5W

    输入电容:4250pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100U-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100U-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100U-7

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.4V@250µA

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    输入电容:216pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3423 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3423 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3423

    连续漏极电流:-2A

    漏源电压:-20V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P-Channel

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:92mΩ@-2A,-10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100U-7 起订600个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100U-7 起订600个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100U-7

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.4V@250µA

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    输入电容:216pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    连续漏极电流:3.6A

    漏源电压:20V

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.25mΩ

    阈值电压:1.4V@250µA

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    栅极电荷:625nC@10V

    类型:P-Channel

    ECCN:EAR99

    输入电容:22000pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463CDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463CDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.4V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:13.6A€49A

    漏源电压:20V

    功率:2.7W€5W

    ECCN:EAR99

    输入电容:4250pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:585nC@10V

    阈值电压:1.4V@250µA

    功率:6.25W€104W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:1.95mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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