品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:56nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:5.7W
类型:P沟道
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-BE3
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100UQ-7
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:216pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.25mΩ
阈值电压:1.4V@250µA
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
栅极电荷:625nC@10V
类型:P-Channel
ECCN:EAR99
输入电容:22000pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3419
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.5A
栅极电荷:4.4nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6415
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
导通电阻:75mΩ@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
漏源电压:20V
输入电容:620pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13.6A€49A
漏源电压:20V
功率:2.7W€5W
输入电容:4250pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:585nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13.6A€49A
漏源电压:20V
功率:2.7W€5W
输入电容:4250pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100U-7
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
输入电容:216pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3423
连续漏极电流:-2A
漏源电压:-20V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:92mΩ@-2A,-10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100U-7
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
输入电容:216pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.25mΩ
阈值电压:1.4V@250µA
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
栅极电荷:625nC@10V
类型:P-Channel
ECCN:EAR99
输入电容:22000pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:56nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13.6A€49A
漏源电压:20V
功率:2.7W€5W
ECCN:EAR99
输入电容:4250pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:585nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: