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    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.37A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:329mW

    输入电容:840pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.37A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:329mW

    ECCN:EAR99

    输入电容:840pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:4.2W

    栅极电荷:63nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12.4nC@5V

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:5.97A

    功率:2W€3.2W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN342P

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:80mΩ@2A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    输入电容:635pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:470pF@10V

    类型:P沟道

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:1000pF@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2040UVT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2040UVT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2040UVT-7

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:5.5A€13A

    漏源电压:20V

    功率:1.2W

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    输入电容:834pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4101PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4101PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4101PT1G

    输入电容:2100pF@16V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:4.8A

    功率:1.3W

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V

    栅极电荷:35nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN338P 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN338P 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN338P

    导通电阻:115mΩ@1.6A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    类型:P沟道

    输入电容:451pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615ADN-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615ADN-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3

    输入电容:5590pF@10V

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:1000pF@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订7500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订7500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:4600pF@10V

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    类型:P沟道

    栅极电荷:190nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:3W€6.6W

    连续漏极电流:26.6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS7D2P02P8ZTAG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:9mΩ@10A,4.5V

    连续漏极电流:7.9A

    功率:860mW

    栅极电荷:26.7nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2790pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2040UFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2040UFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2040UFDF-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:32mΩ@8.9A,4.5V

    连续漏极电流:13A

    栅极电荷:19nC@8V

    功率:1.8W

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:834pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SI3443DV 起订2116个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SI3443DV 起订2116个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"15+":9000}

    规格型号(MPN):SI3443DV

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    输入电容:640pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订21个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订21个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN302P

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    输入电容:882pF@10V

    栅极电荷:14nC@4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC608PZ 起订75个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC608PZ 起订75个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC608PZ

    栅极电荷:23nC@4.5V

    连续漏极电流:5.8A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1330pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:20nC@4.5V

    输入电容:835pF@10V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7629DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7629DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    栅极电荷:177nC@10V

    输入电容:5790pF@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304P

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:20nC@4.5V

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:1312pF@10V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN302P

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    输入电容:882pF@10V

    栅极电荷:14nC@4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN304P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304P

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:20nC@4.5V

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:1312pF@10V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3

    输入电容:5590pF@10V

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN308P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN308P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN308P

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:125mΩ@1.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:341pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    功率:500mW

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR401DP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3

    输入电容:9080pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    功率:5W€39W

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:310nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3 起订600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3 起订600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12.4nC@5V

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:5.97A

    功率:2W€3.2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12.4nC@5V

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:5.97A

    功率:2W€3.2W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3

    输入电容:5590pF@10V

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订2012个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订2012个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}

    规格型号(MPN):FDC642P

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:925pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    功率:1.6W

    栅极电荷:16nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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