品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.37A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:329mW
输入电容:840pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.37A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:329mW
ECCN:EAR99
输入电容:840pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
功率:4.2W
栅极电荷:63nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12.4nC@5V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:5.97A
功率:2W€3.2W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@2A,10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:470pF@10V
类型:P沟道
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2040UVT-7
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
连续漏极电流:5.5A€13A
漏源电压:20V
功率:1.2W
栅极电荷:8.6nC@4.5V
输入电容:834pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
输入电容:2100pF@16V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
功率:1.3W
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
栅极电荷:35nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
导通电阻:115mΩ@1.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:451pF@10V
连续漏极电流:1.6A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4600pF@10V
导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V
类型:P沟道
栅极电荷:190nC@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:3W€6.6W
连续漏极电流:26.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS7D2P02P8ZTAG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:7.9A
功率:860mW
栅极电荷:26.7nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:2790pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2040UFDF-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:32mΩ@8.9A,4.5V
连续漏极电流:13A
栅极电荷:19nC@8V
功率:1.8W
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:834pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":9000}
规格型号(MPN):SI3443DV
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
输入电容:640pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
栅极电荷:10nC@4.5V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
输入电容:882pF@10V
栅极电荷:14nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC608PZ
栅极电荷:23nC@4.5V
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1330pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:835pF@10V
类型:P沟道
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
栅极电荷:177nC@10V
输入电容:5790pF@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
输入电容:882pF@10V
栅极电荷:14nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN308P
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:125mΩ@1.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:341pF@10V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR401DP-T1-GE3
输入电容:9080pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
功率:5W€39W
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:310nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12.4nC@5V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:5.97A
功率:2W€3.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12.4nC@5V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:5.97A
功率:2W€3.2W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}
规格型号(MPN):FDC642P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:925pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: