采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
栅极电荷：2.5nC@5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：165pF@5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
栅极电荷：2.5nC@5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
输入电容：165pF@5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ350UPEYL
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
功率：360mW€3.125W
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：450mΩ@300mA，4.5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
输入电容：127pF@10V
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
栅极电荷：3.9nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB350UPE，315
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
功率：360mW€3.125W
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：450mΩ@300mA，4.5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
输入电容：127pF@10V
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ350UPEYL
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
功率：360mW€3.125W
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：450mΩ@300mA，4.5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
输入电容：127pF@10V
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
栅极电荷：2.5nC@5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：165pF@5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
栅极电荷：2.5nC@5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：165pF@5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
栅极电荷：3.9nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
栅极电荷：2.5nC@5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：165pF@5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB350UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€3.125W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：127pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：450mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB350UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€3.125W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：127pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：450mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ350UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€3.125W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：127pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：450mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ350UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€3.125W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：127pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：450mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ350UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€3.125W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：127pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：450mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
