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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订53个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订53个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订34个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订34个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJ2301_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@4.5V,3.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订50个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订50个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJ2301_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@4.5V,3.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订数6000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订数6000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.5V,3.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订数18000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订数18000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.5V,3.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT1G 起订数12000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT1G 起订数12000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.2nC@4.5V

    输入电容:155pF@20V

    连续漏极电流:880mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:260mΩ@4.5V,880mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订18个装
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订18个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LDN2367T1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:100pF@10V

    导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订1500个装
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订1500个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LDN2367T1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:100pF@10V

    导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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