品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJ2301_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@4.5V,3.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJ2301_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@4.5V,3.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@4.5V,3.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@4.5V,3.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:272mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
输入电容:155pF@20V
连续漏极电流:880mA
类型:2个P沟道
导通电阻:260mΩ@4.5V,880mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LDN2367T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.3A
类型:2个N沟道
反向传输电容:100pF@10V
导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LDN2367T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.3A
类型:2个N沟道
反向传输电容:100pF@10V
导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: