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    漏源电压: 20V
    工作温度: -55℃~+150℃
    连续漏极电流: 760mA
    当前匹配商品:9
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:930pC@10V

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:760mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数30000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数30000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:360mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数9000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数9000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:360mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数21000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数21000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:360mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数75000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数75000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:360mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:930pC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:760mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7 起订60000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7 起订60000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:380mW

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:760mA

    栅极电荷:0.93nC@10V

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数30000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订数30000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    连续漏极电流:760mA

    功率:301mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    输入电容:156pF@5V

    阈值电压:1.2V@250μA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:360mΩ@4.5V,350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:380mW

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:760mA

    栅极电荷:930pC@10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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