采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO203SP H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：26nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8.9A
类型：MOSFET
导通电阻：22mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2514J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：170pF@10V
导通电阻：8mΩ@4.5V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
规格型号(MPN)：FDS6576
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
栅极电荷：60nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
漏源电压：20V
输入电容：4.044nF@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
规格型号(MPN)：FDS6576
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
栅极电荷：60nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
漏源电压：20V
输入电容：4.044nF@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2514J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：170pF@10V
导通电阻：8mΩ@4.5V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2514J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：170pF@10V
导通电阻：8mΩ@4.5V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：60nC@4.5V
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO203SP H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：26nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8.9A
类型：MOSFET
导通电阻：22mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：60nC@4.5V
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：60nC@4.5V
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：60nC@4.5V
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO203SP H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：26nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8.9A
类型：MOSFET
导通电阻：22mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO203SP H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：26nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8.9A
类型：MOSFET
导通电阻：22mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
