品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:54W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:89nC@10V
输入电容:1.9nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:270pF@25V
导通电阻:16mΩ@10V,22A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR2405TRPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.43nF@25V
连续漏极电流:56A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@10V,34A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z24NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@10V,7.2A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44NLPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.47nF@25V
连续漏极电流:49A
类型:1个N沟道
反向传输电容:88pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,25A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2222
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,16A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2222
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,16A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB140NF55T4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.3nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:54W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:89nC@10V
输入电容:1.9nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:270pF@25V
导通电阻:16mΩ@10V,22A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2222
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,16A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75345S3ST
包装方式:卷带(TR)
功率:325W
类型:1个N沟道
连续漏极电流:75A
栅极电荷:275nC@20V
阈值电压:4V@250μA
输入电容:4nF@25V
漏源电压:55V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:7mΩ@75A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: