采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP110N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：294nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP110N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：294nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110N05-06L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP110N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：294nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP110N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：294nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11250pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110N05-06L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM110N05-06L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3205STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3247pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@62A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11250pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11250pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
