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    漏源电压: 55V
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:1000+
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-55SLHX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-55SLHX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-55SLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:395nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25773pF@27V

    连续漏极电流:330A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.03mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB80NF55-08AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB80NF55-08AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB80NF55-08AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3740pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:293pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7277-55A,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7277-55A,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":18845}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7277-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:51W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:422pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1168
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LAT4
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LAT4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD60NF55LAT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:40nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6607-55C,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6607-55C,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":1136,"22+":3200,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6607-55C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5160pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:179
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9225-55A,118 起订820个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9225-55A,118 起订820个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9225-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1724pF@25V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:820
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y40-55B,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y40-55B,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y40-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:59W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":87,"20+":890}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@125µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2360pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:311
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1405STRLPBF 起订285个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1405STRLPBF 起订285个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1405STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5480pF@25V

    连续漏极电流:131A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@101A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:285
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S207ATMA4 起订230个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S207ATMA4 起订230个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3,"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S207ATMA4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@68A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:230
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STD65N55F3
    ST Mosfet场效应管 STD65N55F3

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD65N55F3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y12-55B,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y12-55B,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y12-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:105W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:35.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2067pF@25V

    连续漏极电流:61.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7606-55B,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7606-55B,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7606-55B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:254W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9608-55B,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9608-55B,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9608-55B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:203W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5280pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@125µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2360pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1405STRLPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1405STRLPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1405STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5480pF@25V

    连续漏极电流:131A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@101A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S2L13ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S2L13ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S2L13ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.7mΩ@34A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-55YLHX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-55YLHX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-55YLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:184nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11353pF@27V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75329D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@16A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-55YLHX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-55YLHX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-55YLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:184nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11353pF@27V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9606-55A,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9606-55A,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9606-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8600pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@125µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2360pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR2405TRLPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR2405TRLPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR2405TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@34A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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