品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:154pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:154pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:154pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:154pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:154pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:154pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:154pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
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连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:154pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
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类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:154pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:154pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: